REVEALED: Micron - Everything We Know
В декабре прошлого года руководство Micron Technology призналось, что норма прибыли при выпуске классических типов DRAM, например, DDR5, оказалась выше обеспечиваемой при производстве HBM. Недавно он снова вернулся к этому тезису, говоря об итогах минувшего фискального квартала. Конкуренты располагают примерно такими же финансовыми показателями.
Источник изображения: Micron Technology
По крайней мере, News 1 со ссылкой на руководство SK hynix сообщает, что обычная DDR уже обеспечивает норму прибыли в районе 80 %, тогда как при выпуске HBM она колеблется в районе 60 %. В прошлом квартале норма прибыли Micron в целом по компании выросла последовательно с 75 до 81 %, что также говорит о росте прибыльности бизнеса не только в сегменте HBM. Samsung на правах крупнейшего производителя памяти соответствующие тенденции прочувствовала ещё в конце прошлого года.
Для выпуска HBM тоже требуются кристаллы DRAM, рост спроса на первый тип памяти первоначально вызывал рост цен на DDR5, поскольку последних чипов на рынке становилось меньше. В определённый момент производители бросились наращивать выпуск HBM в ущерб DDR5, поэтому цены на последнюю выросли до такого уровня, что сейчас её продавать выгоднее. Тем более, что затраты на выпуск DDR5 значительно ниже, чем в случае с HBM, а потому разница между доходами и расходами заметно больше, и прибыль растёт активнее.
Южнокорейские производители опережают китайских в части технологий выпуска HBM примерно на три года, но если цены останутся на высоком уровне, то у китайских конкурентов появится определённый шанс закрепиться на международном рынке DDR. Правда, санкции США могут этому помешать, но китайские производители в любом случае заинтересованы в скорейшей организации массового выпуска HBM и экспансии производства DDR.
В условиях дефицита памяти поставщики начали диктовать выгодные себе условия. Как уже отмечалось ранее, Samsung намеревается заключать со своими клиентами долгосрочные контракты на период от трёх до пяти лет, гарантируя поставку определённых объёмов продукции, но с привязкой цены к текущим уровням на рынке моментальных сделок. Кроме того, покупателям придётся сделать крупные авансовые платежи в пользу будущих поставок, и как они будут засчитываться, во многом будет зависеть от динамики рыночных цен.
Micron со своими клиентами также заключает долгосрочные контракты, но они также охватывают и исследовательскую деятельность, поскольку будущие типы HBM, например, должны учитывать индивидуальные запросы конкретных клиентов, а потому соответствующую адаптацию памяти необходимо прописывать в договорах. Micron также сосредотачивается на комплексных поставках продукции для нужд ЦОД, которые охватывают DDR5 и HBM одновременно.
Поскольку новые мощности по выпуску памяти будут введены в строй не ранее конца следующего года, при сохранении растущего спроса на микросхемы памяти будут увеличиваться и нормы прибыли производителей. Руководство SK hynix пытается найти инновационный подход к стабилизации цен на память, но удастся ли его реализовать, станет понятно в ближайшее время.
Micron сейчас способна покрывать спрос на память от силы на две трети от требуемого уровня
Недавние заявления руководства Micron Technology о намерениях увеличить капитальные затраты ради более полного удовлетворения спроса на память вызвали снижение курса акций компании. Тем не менее, генеральный директор Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) подчёркивает, что нынешние объёмы выпуска позволяют Micron покрывать лишь от 50 до 67 % спроса, а потому проблему дефицита решить не позволят.
Источник изображения: Micron Technology
Чтобы покрыть растущий спрос, Micron должна будет серьёзно потратиться на расширение производства, как подчеркнул глава компании. «Мы способны обеспечивать наших ключевых клиентов в среднесрочной перспективе лишь от 50 % до двух третей их потребности», — заявил Мехротра в интервью CNBC. По прогнозам руководства Micron, до конца текущего года на рынке сохранится дефицит как DRAM, так и NAND, причём и в следующем году такое положение дел будет актуально. Разрыв между спросом и предложением на рынке памяти глава Micron назвал «беспрецедентным».
Выпуск DRAM для производителей сейчас является более выгодным бизнесом, поэтому доступные для производства NAND ресурсы перераспределяются в пользу первого типа памяти. Это вызывает дефицит и рост цен на твердотельную память. Кроме того, в сегменте DRAM основные объёмы продукции уходят на серверный рынок, в результате страдают сегмент ПК и смартфонов. Ещё одним следствием дефицита DRAM становится ускорение износа твердотельных накопителей (SSD), которые активнее используются для размещения файлов подкачки. Эти накопители тоже дорожают из-за роста цен на NAND.
Для китайских производителей памяти сложившиеся условия представляют определённый шанс для выхода на международный рынок, но только не в тех случаях, когда поставки китайской памяти упираются в запреты со стороны США. Ведущие китайские производители памяти в лице YMTC и CXMT недавно исчезли из санкционного списка Пентагона, но могут вернуться в него после внесения изменений в профильные документы. Американским производителям электроники данная неопределённость в условиях дефицита памяти точно не добавит уверенности в будущем.
Micron пообещала дать бой дефициту памяти, резко увеличив капитальные затраты — инвесторы не в восторге
Американская компания Micron Technology на этой неделе отчиталась о результатах второго квартала 2026 фискального года. Её выручка почти утроилась до $23,86 млрд, но инвесторов расстроило заявление руководства о необходимости увеличить капитальные затраты ради борьбы с дефицитом памяти. По итогам публикации отчётности акции Micron подешевели на 4,43 % после закрытия торгов.
Источник изображения: Micron Technology
В условиях роста цен на память Micron по итогам прошлого фискального квартала не только утроила выручку. Её норма прибыли в годовом сравнении увеличилась с 36,8 до 74,4 %, а операционная прибыль выросла в восемь или девять раз, в зависимости от методики расчёта. Чистая прибыль тоже увеличилась пропорционально, а размер квартальных дивидендов решено было увеличить на 30 %.
Самое интересное, что выручка Micron равномерно увеличивалась по всем четырём основным направлениям деятельности: в облачном сегменте (в 2,6 раза), на направлении центров обработки данных (в 3,1 раза), в сегменте мобильных и клиентских решений (в 3,5 раза) и в секторе автомобильной и встраиваемой электроники (в 2,6 раза). То есть, нельзя утверждать, что серверный сегмент «перетянул одеяло», хотя его совокупная доля выручки (вместе с облачным) превысила 56 %.
В текущем квартале Micron рассчитывает на увеличение выручки более чем на 200 % до $33,5 млрд, что значительно выше заложенных аналитиками в свои прогнозы $24,3 млрд. Собственно, результаты прошлого квартала также превзошли ожидания рынка, но росту курса акций компании это не способствовало, поскольку руководство заявило о необходимости резкого увеличения капитальных расходов. В следующем фискальном году, который начнётся нынешней осенью, Micron увеличит капитальные затраты более чем на $10 млрд. Компания возводит крупные фабрики по производству памяти в штате Айдахо и собирается расширять свои мощности в штате Нью-Йорк. Первая из площадок начнёт выдавать продукцию к середине следующего года. В Нью-Йорке выпуск памяти на новых предприятиях начнётся во второй половине 2028 года. Кроме того, сделка с тайваньской PSMC также потребует дополнительных инвестиций в производственную инфраструктуру со стороны Micron.
Сейчас Micron уже выпускает память типа HBM4 для Nvidia, а в следующем году будет развёрнут выпуск HBM4E. По данным Nvidia, ускорители поколения Feynman, которые выйдут в 2028 году, будут использовать кастомизированную HBM. Это значит, что производителям памяти придётся более плотно работать с Nvidia на этапе подготовки к её массовому выпуску.
Аналитики ожидали, что капитальные затраты Micron в этом фискальном году, который завершается в августе, не превысят $22,4 млрд, но теперь компания рассчитывает потратить на соответствующие нужды $25 млрд вместо первоначально запланированных $20 млрд. В следующем фискальном году эти расходы увеличатся ещё более чем на $10 млрд. Компания надеется благодаря быстрому расширению производства памяти устранить её дефицит или хотя бы способствовать этому.
Micron запустила массовое производство памяти HBM4 для Nvidia Vera Rubin
Поскольку на этой неделе Nvidia официально представила свою ИИ-платформу Vera Rubin, компания Micron Technology не нашла причин для дальнейшего сокрытия факта сотрудничества с ней в области поставок памяти типа HBM4. Было объявлено, что этот третий по счёту поставщик приступил к серийному производству микросхем HBM4 в 12-ярусном исполнении.
Источник изображения: Micron Technology
В одном стеке HBM4 при такой компоновке содержится 36 Гбайт памяти, которая способна передавать информацию со скоростью более 1 Гбит/с на контакт, обеспечивая совокупную пропускную способность на уровне 2,8 Тбайт/с. По сравнению с HBM3E той же марки, это соответствует росту пропускной способности в 2,3 раза и улучшению энергетической эффективности более чем на 20 %, как отмечает Tom’s Hardware. Micron Technology также отправила своим клиентам образцы 16-ярусных чипов HBM4 объёмом 48 Гбайт. По сравнению с 12-ярусным стеком, они обеспечивают увеличение удельной ёмкости на 33 %.
Одновременно Micron объявила о начале массового производства твердотельных накопителей семейства 9650, обеспечивающих поддержку новейшего интерфейса PCI Express 6.0. Данные накопители обеспечивают скорость последовательного чтения до 28 Гбайт/с и 5,5 млн операций ввода-вывода в секунду на операциях произвольного чтения. По сравнению с накопителями, оснащаемыми интерфейсом PCI Express 5.0, это обеспечивает вдвое более высокое быстродействие на операциях чтения, энергоэффективность также увеличивается в два раза. Данные накопители оптимизированы для использования в составе стоек BlueField-4 STX, относящихся к платформе Vera Rubin.
Кроме того, Micron представила модули памяти типа SOCAMM2 объёмом 192 Гбайт, также оптимизированные для решений Nvidia семейства Vera Rubin, включая стойки NVL72 и обособленные платформы на основе центральных процессоров Vera. Эти модули памяти будут предлагаться в диапазоне ёмкостей от 48 до 256 Гбайт. Платформа Vera Rubin поддерживает до 2 Тбайт оперативной памяти, а пропускная способность на один процессор достигает 1,2 Тбайт/с при использовании данной памяти. Все три новинки Micron уже производятся серийно и могут поставляться для нужд Nvidia и её партнёров, выпускающих решения семейства Vera Rubin.
Micron построит вторую фабрику по производству памяти на Тайване рядом с купленной у PSMC
Сделка между Micron Technology и тайваньским контрактным производителем PSMC по продаже предприятия на Тайване под нужды упаковки памяти показала пример того, как бум ИИ может открыть новые возможности даже перед компаниями, которые до недавних пор не были на острие технического прогресса. Как выясняется, рядом с уже купленным у PSMC предприятием Micron построит второе подобное.
Источник изображения: Micron Technology
Как отмечает Reuters, американская Micron Technology сегодня сообщила о закрытии сделки по покупке предприятия P5 у PSMC на Тайване за $1,8 млрд. Напомним, в рамках данной сделки Micron интересовала преимущественно сама производственная площадка, поскольку новый собственник намерен избавиться от имеющегося на ней оборудования, завести новое и наладить тестирование и упаковку микросхем памяти HBM с участием прежнего владельца предприятия в лице PSMC. Кроме того, здесь же Micron намеревается выпускать и классическую DRAM, спрос на которую в условиях ИИ-бума также весьма высок. При этом PSMC своему оборудованию с проданного предприятия найдёт применение в другой части Тайваня, так что оно не будет просто отправлено на свалку.
Схема сотрудничества подразумевает, что Micron будет платить PSMC за тестирование и упаковку HBM на тайваньской площадке P5. Переезд персонала и оборудования PSMC будет организован в несколько фаз, чтобы минимально влиять на производственные процессы. Примерно за полтора года Micron станет полноправным владельцем предприятия в Тунлуо, которое купила за $1,8 млрд. Как отмечает американский производитель, второе предприятие по производству и упаковке памяти в Тунлуо будет по своим масштабам сопоставимо с первым. Другими словами, здесь на площади около 28 000 квадратных метров будут обрабатываться кремниевые пластины типоразмера 300 мм.
Строительство нового предприятия Micron начнёт летом этого года, в эксплуатацию оно будет введено через пару лет. От Тайчжуна, где у Micron уже имеется производственная инфраструктура, новая площадка расположена на незначительном по меркам Тайваня удалении. Как отмечает TrendForce со ссылкой на японские СМИ, компания Micron также расширяет свои производственные мощности в данной стране. В западной части площадки в Хиросиме, где у Micron уже имеется предприятие по выпуску памяти, наблюдается строительная активность. Дополнительные мощности планируется ввести в строй к февралю 2028 года. В Японии Micron собирается наладить выпуск не только DRAM перспективных типов, но и HBM. Церемония торжественной закладки фундамента новой японской фабрики намечена на май этого года. Через пару лет с конвейера нового предприятия начнёт сходить память типа HBM. Строительство движется с опережением графика, на уровне финансирования его поддерживают государственные субсидии. В Индии в конце февраля Micron открыла своё первое в стране предприятие по тестированию и упаковке чипов с использованием современных технологий. Когда оно выйдет на полную мощность, то сможет обрабатывать до 10 % мировых объёмов продукции Micron.
В самый раз для ИИ: Micron выпустила первый в мире модуль памяти LPDRAM SOCAMM2 на 256 Гбайт
Компания Micron представила первый в мире высокопроизводительный модуль оперативной памяти LPDRAM SOCAMM2 объёмом 256 Гбайт — он разработан специально для работы в центрах обработки данных и рабочих нагрузок в области искусственного интеллекта.
Источник изображений: micron.com
Оперативная память нового типа потребляет втрое меньше мощности и отличается компактными габаритами модуля — сам модуль построен на монолитных кристаллах объёмом 32 Гбит. При наличии 8-канального центрального процессора в системе с 2 Тбайт памяти скорость при рабочей нагрузке инференса (запуска) ИИ увеличивается в 2,3 раза по важнейшему показателю — времени до выдачи первого токена.
Новый модуль памяти Micron ориентирован на задачи вывода больших языковых моделей и прочие рабочие нагрузки, в которых объёмы памяти, пропускная способность, эффективность и величина задержки определяют производительность и масштабируемость. Формфактор SOCAMM2 представляет собой идеальное решение с более компактными размерами модулей и сниженным потреблением энергии в сравнении с традиционным форматом RDIMM. Разработку компонента компания Micron вела совместно с Nvidia. В рабочих нагрузках ИИ видеопамять на графическом процессора имеет решающее значение, но при больших объёмах KV-кеша его можно частично выгружать в более дешёвую общую системную память, если та достаточно быстрая — и эту возможность предлагает LPDRAM SOCAMM2 от Micron.
В видеокартах GeForce RTX 5000 наконец появились чипы GDDR7 от Micron, но дефицит вряд ли смягчится
Компания Micron стала третьим поставщиком чипов памяти GDDR7 для видеокарт GeForce RTX 50-й серии. До этого микросхемы памяти для этих ускорителей поставляли только Samsung и SK hynix.
Источник изображений: QuasarZone
Изображениями печатной платы видеокарты Galax GeForce RTX 5060, оснащённой чипами памяти GDDR7 от Micron, поделилось издание Quasar Zone. В составе видеокарты используются микросхемы GDDR7 MT68A512M32DF. В собственном каталоге производителя они обозначены как MT68A512M32DF-28:A. Это 16-Гбит (2 Гбайт) микросхемы со скоростью передачи данных 28 Гбит/с.
Привлечение третьего поставщика может помочь партнёрам Nvidia сбалансировать доступность памяти при производстве видеокарт в разных партиях. Однако вряд ли это поможет устранить проблему дефицита — сама Nvidia вчера признала, что нехватка видеокарт GeForce из-за проблем с поставками памяти сохранится не только в текущем, но и в следующих кварталах.
Ранее уже сообщалось, что Micron собирается поставлять чипы памяти GDDR7 со скоростью 28 и 32 Гбит/с производителям видеокарт GeForce RTX 50-й серии. Однако не было подтверждения, какие именно модели первыми получат микросхемы памяти от этого производителя.
Micron представила 3-Гбайт чипы памяти GDDR7 со скоростью до 36 Гбит/с
Компания Micron представила чипы графической памяти GDDR7 плотностью 24 Гбит (3 Гбайт). По словам производителя, эти микросхемы обеспечивают скорость передачи данных до 36 Гбит/с на контакт. В настоящий момент они не используются ни в одном коммерческом продукте, представленном на рынке.
Источник изображения: Micron
При заявленной скорости 36 Гбит/с на контакт и использовании 512-битного интерфейса общая пропускная способность подсистемы памяти на базе новой GDDR7 может достигать 2 Тбайт/с, если отсутствуют какие-либо другие искусственные ограничения.
«Память Micron GDDR7 — это не просто повышение производительности, это фундаментальная технология для следующего десятилетия визуальных и ИИ-вычислений. Благодаря скорости 36 Гбит/с, плотности 24 Гбит и улучшенной энергоэффективности GDDR7 позволяет производителям графических процессоров и ПК с поддержкой ИИ обеспечивать более насыщенные, динамичные и интеллектуальные вычислительные возможности», — пишет производитель в своём блоге.
Micron не первая компания, предлагающая чипы памяти GDDR7 ёмкостью 3 Гбайт. Samsung проводила тестирование подобных чипов для партнёров ещё в ноябре прошлого года. Чипы 3-Гбайт микросхемы GDDR7 от Samsung обеспечивают скорость передачи данных 36 Гбит/с, поэтому Micron здесь также не выделяется. Возможно, именно поэтому компания раскрыла подробности о новом продукте в блоге, а не в отдельном пресс-релизе.
На сегодняшний день наибольшую ёмкость памяти GDDR7 для настольных компьютеров предлагает профессиональная видеокарта Nvidia RTX Pro 6000 Blackwell, которая оснащается 96 Гбайт GDDR7, распределённой по 24 чипам ёмкостью 4 Гбайт каждый. Эти чипы работают на скорости 28 Гбит/с, а общая пропускная способность подсистемы памяти составляет 1,8 Тбайт/с. При скорости 36 Гбит/с пропускная способность достигла бы 2,3 Тбайт/с, однако ёмкость осталась бы прежней.
Micron запустила массовое производство первого в мире SSD с PCIe 6.0 — Micron 9650 обеспечит до 28 000 Мбайт/с
Micron Technology объявила о запуске в массовое производство Micron 9650 — компания объявила его первым в мире серийным твердотельным накопителем с поддержкой стандарта PCIe 6.0.
Источник изображений: micron.com
Производитель подчёркивает, что переход на PCIe 6.0 — это шаг вперёд по сравнению с PCIe 5.0 и удвоенная пропускная способность. Фактор пропускной способности является ограничивающим в инфраструктуре искусственного интеллекта, где производится постоянное перемещение данных между накопителями и вычислительными ресурсами. SSD Micron 9650 предназначен для работы в центрах обработки данных — с потребительского рынка компания ушла, когда в декабре закрыла бренд Crucial.
Скорость последовательного чтения данных у Micron 9650 составляет до 28 000 Мбайт/с, последовательной записи — до 14 000 Мбайт/с; до 5,5 млн операций ввода-вывода в секунду при случайном чтении и до 900 тыс. — при случайной записи. Компания привела аналогичные показатели для SSD с интерфейсом PCIe 5.0, и некоторые из них оказались вдвое меньшими.
Ещё одной сильной стороной Micron 9650, добавили в компании, является производительность на ватт — потребляя те же 25 Вт, что и накопитель предыдущего поколения, новая модель предлагает до двухкратного прироста скорости. Пропускная способность Micron 9650 на 1 Вт составляет 1120 Мбайт/с против 560 Мбайт/с у модели с PCIe 5.0; в случайном чтении показатели равны 220 тыс. против 132 тыс. операций ввода-вывода в секунду на ватт.
Nvidia готова пожертвовать скоростью HBM4, чтобы получить достаточно памяти для Vera Rubin
Производители HBM4 не так просто отмечают, что их память способна работать на частотах, превышающих требования стандарта JEDEC. Принято считать, что ради достижения максимального быстродействия своих ускорителей Vera Rubin компания Nvidia выдвинула поставщикам HBM4 повышенные требования к скорости работы памяти. Теперь она готова пойти на попятную ради стабильности поставок памяти.
Источник изображения: Samsung Electronics
Об этом сообщает южнокорейское зеркало ZDNet, поясняя, что изначально Nvidia рассчитывала оснащать свои ускорители вычислений Vera Rubin памятью HBM4, обеспечивающей скорость передачи информации не ниже 11,7 Гбит/с. Снабжать её памятью типа HBM4 вызвались SK hynix, Samsung Electronics и Micron Technology. Хотя все три поставщика способны выпускать память с заданными характеристиками, делать они это пока могут не в тех объёмах, которые требуются Nvidia.
ZDNet сообщает, что Nvidia готова согласится и на закупку чипов HBM4, обеспечивающих только скорость передачи данных на уровне 10,6 Гбайт/с, хотя не откажется и от более быстрых микросхем со скоростью 11,7 Гбайт/с. В этом году дефицит памяти проявит себя сильнее, а потому Nvidia не хочет усложнять жизнь себе, своим поставщикам и клиентам, устанавливая чрезмерно строгие технические условия на поставку HBM4. Южнокорейская SK hynix может обеспечить до 60 % поставок HBM4 для нужд Nvidia, но даже она не готова предложить партнёру исключительно быстрые микросхемы данного типа. Samsung хотя и заявила о начале серийных поставок HBM4, нарастить свои профильные мощности в сжатые сроки не сможет, а Nvidia при этом не сможет полностью полагаться в данном вопросе и на Micron. Получается, что компании придётся подстраиваться под возможности производителей HBM4, жертвуя быстродействием части ассортимента ускорителей Vera Rubin.
Micron опровергла слухи, что её HBM4 оказалась не нужна Nvidia — массовое производство начнётся в текущем квартале
Ведущие производители памяти сейчас соперничают за лучшие условия сотрудничества с Nvidia в сфере поставок HBM4, и финансовый директор Micron Technology Марк Мёрфи (Mark Murphy) недавно дал понять, что данная компания не собирается оставаться за бортом прогресса. Массовые поставки микросхем HBM4 она начинает в этом квартале, быстрее первоначального намеченного срока.
Источник изображения: Micron Technology
Ещё в декабре прошлого года Micron рассчитывала приступить к поставкам HBM4 лишь во втором квартале текущего года, но теперь полна решимости наращивать объёмы уже в текущем квартале. Образцы HBM4 компания Micron поставляет своим клиентам с сентября прошлого года. Она изначально отмечала, что предлагает самую быструю память HBM4 на рынке со скоростью передачи информации более 11 Гбит/с, но с тех пор лидерство в данной сфере пытается оспаривать Samsung.
По данным южнокорейских СМИ, все три крупнейших поставщика HBM4 смогут снабжать памятью этого типа компанию Nvidia, которой она нужна для оснащения ускорителей вычислений семейства Rubin. На долю SK hynix придётся около 55 % таких поставок, Samsung получит около 25 %, а Micron придётся довольствоваться 20 %. В любом случае, по словам финансового директора Micron Technology, слухи о неспособности компании принять участие в снабжении Nvidia памятью HBM4 в текущем году не имеют ничего общего с реальностью. Как ожидается, очередной рассказ об ускорителях Rubin можно будет услышать от представителей Nvidia на мартовской конференции GTC 2026.
Micron при этом продолжает расширять свои мощности, пригодные под организацию упаковки чипов памяти. Помимо сотрудничества с тайваньской PSMC, американский производитель памяти с 2024 года скупает простаивающие тайваньские предприятия по выпуску ЖК-панелей. В прошлом году Micron купила два таких завода на Тайване у AUO, а в этом готовится купить ещё одно у Innolux. После переоборудования такие предприятия можно приспособить к тестированию и упаковке микросхем памяти. Совместный проект с PSMC начнёт приносить свои плоды с конца 2027 года.
Samsung, SK hynix и Micron стали перепроверять все заказы на поставку памяти, чтобы исключить закупки впрок
По данным Nikkei Asia, три крупнейших производителя микросхем памяти — Micron, SK hynix и Samsung Electronics — усилили контроль за заказами клиентов, чтобы предотвратить преднамеренное накопление запасов. Источники издания сообщают, что производители чипов памяти теперь требуют от клиентов раскрывать информацию о конечных потребителях и объёмах заказов, чтобы убедиться в подлинности спроса и предотвратить перебронирование или чрезмерное накопление запасов, которые могут ещё больше дестабилизировать рынок.
Источник изображения: Micron
Продолжающийся дефицит чипов памяти сильнее всего ударит по потребительской электронике начального и среднего уровня такой, как телевизоры, телеприставки, домашние маршрутизаторы, бюджетные планшеты, смартфоны и ПК. Автомобильный сектор также может столкнуться со значительным давлением из-за более длительных циклов сертификации.
Последствия повышения цен на память уже начинают проявляться во всех сегментах потребительской электроники. По данным TrendForce, до дефицита на чипы DRAM приходилось всего 2,5–3 % от общей себестоимости компонентов при сборке тех же телевизоров. С тех пор эта доля быстро выросла до 6–7 %, что оказало значительное давление на прибыльность брендов. Менее крупные бренды с меньшим масштабом производства и ресурсами, вероятно, будут нести более тяжёлое бремя, чем гиганты рынка.
На фоне роста затрат и ужесточения поставок производители ПК также могут сократить объёмы выпускаемых продуктов. Аналитики TrendForce снизили свой прогноз по поставкам ноутбуков на 2026 год, пересмотрев его снижение с 5,4 % в годовом исчислении до более резкого падения на 9,4 %.
Как пишет Nikkei Asia, в ответ на дефицит некоторые производители даже начали скупать старые запасы продуктов, хранящихся на складах заказчиков. Извлечение микросхем памяти из этих устройств и их повторная установка на другие печатные платы, нередко в рамках продуктов совершенно другого сегмента, позволяет повторно использовать компоненты и обеспечить дополнительные поставки. Однако такой подход, как сообщается, ограничен вторичными рынками, которые могут мириться с потенциальными проблемами качества. Издание добавляет, что некоторые производители ПК также разрабатывают модели устройств начального уровня с дополнительными слотами для памяти, что позволит пользователям при необходимости увеличить объём памяти позже.
Гиганты в сфере производства памяти недавно отреагировали на сохраняющийся дефицит. SK hynix сообщила, что её запасы DRAM резко сократились в годовом исчислении в четвёртом квартале прошлого года и, как ожидается, продолжат сокращаться во второй половине этого года, что говорит о том, что ситуация с поставками для клиентов, вероятно, останется напряженной ещё некоторое время. Что касается флеш-памяти NAND, SK hynix отметила, что её запасы — в первую очередь для SSD — сокращаются со второй половины прошлого года и сейчас находятся на уровне, сопоставимом с запасами DRAM.
По информации Hankyung, запасы DRAM у Samsung сократились примерно до шести недель, что составляет примерно половину от типичных 10–12 недель. Обладая крупнейшими производственными мощностями среди большой тройки производителей памяти, Samsung имеет все шансы извлечь максимальную выгоду из сложившейся ситуации на рынке.
Нужно больше памяти: Micron вложит $24 млрд в расширение производства NAND в Сингапуре
Производителей памяти нередко обвиняют в нерасторопности, которая в условиях резкого роста на продукцию приводит к дефициту и росту цен, но американская Micron Technology демонстрирует готовность наращивать производственные мощности. В Сингапуре она расширит своё предприятие по выпуску NAND, вложив $24 млрд.
Источник изображения: Micron Technology
Компания на этой неделе объявила о закладке фундамента нового предприятия по выпуску NAND в Сингапуре, которое расположится рядом с уже существующим. На протяжении последующих 10 лет в развитие этой площадки будет вложено $24 млрд, в итоге здесь появятся дополнительные 65 000 квадратных метров «чистых комнат» для обработки кремниевых пластин. Новое предприятие начнёт выдавать продукцию со второй половины 2028 года, оно позволит создать около 1600 рабочих мест.
Micron не скрывает, что расширение производства NAND потребовалось для удовлетворения спроса на твердотельную память со стороны сегмента ИИ. В этом месяце, напомним, Micron также договорилась о покупке предприятия PSMC на Тайване, которое будет переоборудовано под упаковку памяти типа HBM. Конкурирующие Samsung и SK hynix, по имеющимся данным, не готовы вкладываться в расширение производства NAND в текущем году, и даже планируют сократить объёмы выпуска такой продукции на 5 %, отдавая предпочтение производству DRAM. В Сингапуре у Micron сосредоточено производство NAND, она выпускает 98 % своей продукции такого типа в этом крохотном государстве. Здесь также строится предприятие по упаковке HBM, на которое будет потрачено $7 млрд — свою работу оно начнёт в 2027 году. В США компания начала строительство нового комплекса по выпуску DRAM, в которое будет вложено около $100 млрд за ближайшие пару десятилетий.
Памяти не будет ещё долго: Micron признала, что «беспрецедентный» дефицит выйдет за пределы 2026 года
Американский производитель памяти в условиях дефицита продукции ведёт себя сообразно ситуации. С одной стороны, нужды потребительского рынка он в свете прекращения поставок модулей памяти под маркой Crucial он готов обслуживать в минимальной степени. С другой стороны, компания вкладывается в расширение своих производственных мощностей. При этом текущим годом период дефицита памяти не ограничится, как считают в Micron.
Источник изображения: Micron Technology
Исполнительный вице-президент по операционной деятельности Micron Technology Маниш Бхатиа (Manish Bhatia) в интервью Bloomberg после церемонии закладки фундамента крупного производственного комплекса в штате Нью-Йорк сообщил, что «текущий дефицит, который наблюдается, является беспрецедентным». По его словам, память типа HBM для ЦОД потребляет так много ресурсов промышленности, что возникает огромный дефицит на стороне классических сегментов рынка типа смартфонов и ПК. И если производители последних выстраиваются в очередь, чтобы уже сейчас забронировать поставки памяти на период после 2026 года, то в дальнейшем спрос на память будет расти и со стороны автомобильных систем автопилота и человекоподобных роботов.
В сегменте ИИ, как ранее отмечали представители Micron, все квоты памяти этой марки выкуплены клиентами на весь текущий год. Недавние шаги по покупке предприятия у PSMC на Тайване, по словам исполнительного вице-президента Micron, были направлены на скорейший ввод новой площадки по упаковке памяти в строй. Она сможет приступить к обработке продукции со второй половины следующего года. Все вновь возводимые Micron предприятия по выпуску памяти будут введены в строй значительно позже. В штате Нью-Йорк это случится не ранее 2030 года, а вот первое предприятие в Айдахо сможет начать работу уже в 2027 году. Всего в штате будет построено два предприятия по выпуску памяти и исследовательский центр. Кроме того, Micron модернизирует и расширяет завод в Вирджинии.
В любом случае, все новые мощности Micron будет вводить в строй на территории США, а азиатские площадки будут повышать производительность за счёт модернизации и перехода на более совершенные технологии изготовления памяти. В перспективе компания хотела бы 40 % своей памяти типа DRAM выпускать на территории США.
США пригрозили Samsung и SK hynix 100-процентными пошлинами за отказ локализовать производство
Обсуждая соглашение с Тайванем в сфере внешней торговли, профильный американский министр Говард Лютник (Howard Lutnick) уже признался, что если тайваньские производители не пожелают локализовать выпуск чипов в США, то могут столкнуться с повышением импортных пошлин до 100 %. Как оказывается, это условие распространяется не только на производителей с Тайваня.
Источник изображения: Micron Technology
Напомним, компания TSMC благодаря своему участию в локализации производства в Аризоне сможет не только претендовать на получение части из $250 млрд заёмных средств, предоставляемых под гарантии американского правительства, но и в период строительства локальных предприятий ввозить без уплаты пошлин объёмы продукции, в 2,5 раза превышающие объёмы выпуска будущего предприятия. После завершения строительства квота беспошлинного ввоза сокращается до полуторакратной, но все объёмы свыше этого уровня TSMC всё равно будет проводить через американскую таможню по ставке 15 %.
Выступая на церемонии закладки фундамента крупного комплекса Micron Technology по выпуску памяти в штате Нью-Йорк, министр Лютник заявил следующее: «Любой, кто хочет выпускать память, имеет два варианта: либо платить пошлину в размере 100 %, либо строить в Америке. Это промышленная политика». Заметим, что крупнейшими поставщиками памяти являются южнокорейские компании Samsung Electronics и SK hynix, американская Micron Technology занимает третье место по общим объёмам производства такой продукции.
Соответственно, слова американского министра можно истолковать таким образом, что таможенные пошлины в размере 100 % будут применяться и к продукции Samsung, и SK hynix, ввозимой на территории США, если обе компании не пожелают расширить свою производственную базу в этой стране. Говард Лютник при этом не стал называть имена конкретных компаний или страны, к которым относятся новые требования по локализации производства памяти в США. Их представляется возможным определить, используя простую логику.
Samsung Electronics ещё в 2024 году объявила о намерениях вложить в локализацию производства в США более $40 млрд, причём $17 млрд из этой суммы будет направлено на передовое предприятие по тестированию и упаковке микросхем памяти в Техасе. Соответственно, Samsung номинально соответствует новым требованиям властей США к организации если не производства, то хотя бы упаковки памяти на территории страны. Осталось только убедиться, что предполагаемые объёмы обработки продукции в Техасе удовлетворят запросы американских властей.
SK hynix в общей сложности собирается направить в американскую экономику $15 млрд, из них $4 млрд будут направлены на передовое предприятие по упаковке и тестированию памяти в штате Индиана. На фоне планов Micron, которая собирается за двадцать лет потратить в США около $200 млрд, эти суммы меркнут, но южнокорейские производители при этом оперируют более сжатыми сроками.