Представители SK hynix заявили в октябре прошлого года, что компания начнёт снабжать клиентов микросхемами HBM4 ещё в четвёртом квартале, но о масштабных поставках можно будет говорить только с наступлением 2026 года. По словам представителей Samsung, наладить выпуск HBM4 в коммерческих масштабах удалось благодаря преимуществу над конкурентами в литографических технологиях. Компания использует более передовые техпроцессы (10-нм класса 1c) при выпуске не только самих кристаллов DRAM в стеке HBM4, но и базового кристалла, который производится по 4-нм технологии. В отличие от SK hynix, которая в этой сфере полагается на услуги TSMC, компания Samsung базовые кристаллы может выпускать самостоятельно.
Технический директор Чжэ Хёк Сон (Jaehyuk Song) заявил на этой неделе: «Мы теперь демонстрируем подлинные возможности Samsung в очередной раз. Хотя мы могли не в полной мере демонстрировать Samsung с той стороны, которая отвечает за потребности клиентов в части технологий мирового уровня — на протяжении определённого периода, вы сможете увидеть, как мы вернёмся на прежние позиции».
Из пресс-релиза Samsung следует, что её память типа HBM4 способна достигать скоростей передачи информации до 13 Гбит/с, а в устоявшемся режиме скорость достигает 11,7 Гбайт/с. Уровень выхода годной продукции при выпуске HBM4 достиг стабильных значений, по словам Samsung. Формально, HBM4 способна передавать данные в 1,22 раза быстрее, чем HBM3E, в пересчёте на один контакт. С учётом изменений в компоновке и архитектуре преимущество вырастает до 2,7 раза в пересчёте на один стек памяти. Предельная скорость передачи информации HBM4 достигает 3,3 Тбайт/с.
12-ярусная компоновка позволяет создавать стеки памяти объёмом от 24 до 36 Гбайт. В дальнейшем Samsung рассчитывает предложить и 16-ярусные стеки объёмом до 48 Гбайт. Базовый кристалл HBM4 компания проектировала таким образом, чтобы обеспечить его высокую энергоэффективность. Последний показатель удалось улучшить на 40 % за счёт использования новых способов формирования межслойных соединений и оптимизации компоновки с целью снижения энергопотребления. По сравнению с HBM3E, эффективность теплоотвода удалось улучшить на 30 %, а тепловое сопротивление изменить на 10 %. В целом, Samsung рассчитывает в текущем году в три раза увеличить продажи всех актуальных типов HBM. Во втором полугодии она уже готова начать поставки образцов HBM4E своим клиентам, а в следующем году предложит индивидуализированные варианты такой памяти.