На очередном этапе сотрудничества AMD и Samsung сосредоточатся на использовании памяти HBM4 в составе ускорителей Instinct MI455X, а также передовой памяти DRAM для серверных процессоров EPYC шестого поколения под условным обозначением Venice. Эти технологии будут объединены в инфраструктурных решениях на основе продукции AMD. Последняя из компаний надеется за счёт сотрудничества с Samsung более выигрышно оптимизировать ИИ-инфраструктуру для своих клиентов.

Микросхемы HBM4 производства Samsung будут использованы в составе ускорителей вычислений AMD Instinct MI455X. Соответствующие чипы производятся с использованием 10-нм технологии шестого поколения (для кристаллов DRAM) и 4-нм технологии (для базового кристалла с логикой). Они обеспечивают скорость передачи данных до 13 Гбит/с на контакт и полосу пропускания 3,3 Тбайт/с, что значительно превосходит требования стандартов JEDEC. В мировых масштабах Samsung контролирует только 22 % рынка HBM, на долю SK hynix приходятся 57 % сегмента, по данным Counterpoint Research.

В дальнейшем Samsung и AMD будут готовы обсудить использование контрактных услуг первой по выпуску чипов для второй, но каких именно изделий это коснётся, пока не уточняется. Samsung будет снабжать AMD и её партнёров и памятью DDR5, оптимизированной под особенности фирменной архитектуры Helios. Samsung уже является для AMD основным поставщиком памяти типа HBM3E, которая используется в составе ускорителей вычислений Instinct MI350X и MI355X.