EXCLUSIVE: Hbm4 - Complete Analysis
Степень доверия руководства Nvidia к способности Samsung Electronics выпускать качественную память типа HBM4 была в этом месяце подтверждена совместным фото основателя первой из компаний с представителями второй. Дженсен Хуанг (Jensen Huang) прямо на кремниевой пластине с чипами HBM4 назвал эту память «удивительной». При этом Samsung уже разрабатывает HBM5 и HBM5E.
Источник изображения: Samsung Electronics
Соответствующую информацию на прошлой неделе опубликовал южнокорейский ресурс Business Korea. В случае с HBM5 в исполнении Samsung базовый кристалл для стека памяти будет выпускаться по 2-нм технологии, а HBM5E примерит кристаллы DRAM, выпущенные по седьмому поколению 10-нм техпроцесса, который условно обозначается как «1d». Samsung уже удалось договориться с Nvidia о производстве специализированных процессоров Groq 3 по 4-нм технологии на своих контрактных мощностях. Руководитель профильного подразделения Samsung Хан Чжин Ман (Han Jin-man) подчеркнул, что 4-нм процесс компании «никак нельзя считать посредственным».
Это заявление было сделано представителем Samsung Electronics на мероприятии GTC 2026, которое Nvidia проводила в Калифорнии для своих партнёров. Если учесть, что и руководство конкурирующей SK hynix было приглашено на конференцию в Сан-Хосе, лучшей иллюстрации значимости корейских поставщиков HBM в восприятии Nvidia и придумать сложно.
Представители Samsung пояснили, что HBM5 будет производиться с использованием 2-нм техпроцесса силами самой компании, если говорить о базовом кристалле. Чипы DRAM в стеке HBM5 будут выпускаться по шестому поколению 10-нм техпроцесса (1c). Строго говоря, последний уже применяется при выпуске кристаллов DRAM в стеке HBM4, он просто будет перенесён на HBM5. Основным новшеством станет использование собственного 2-нм техпроцесса Samsung для изготовления базового кристалла. В случае с HBM4 базовый кристалл Samsung производит по 4-нм технологии. Она смогла опередить конкурентов с началом поставок HBM4 для нужд Nvidia.
HBM5E будет выпускаться с использованием более свежего варианта 10-нм техпроцесса 1d в случае с кристаллами DRAM в стеке, а в его основании будет лежать базовый кристалл, производимый по всё тому же 2-нм техпроцессу. Очевидно, «шахматный порядок» модернизации техпроцессов при выпуске HBM позволяет Samsung снизить технологические риски. Спрос на 4-нм техпроцесс в ближайшее время будет заметно расти, как убеждены в Samsung, поскольку он применяется для выпуска базовых кристаллов HBM4.
В отношении стартапа Groq, который был недавно куплен Nvidia, способность Samsung выпускать его чипы объясняется просто: они сотрудничали ещё до сделки с 2023 года, Samsung принимала участие в разработке чипов LPU. На этапе подготовки к сделке Nvidia пришла к выводу, что 4-нм техпроцесс Samsung для соответствующих нужд вполне подходит, поэтому подрядчика по производству чипов Groq менять не стали. Их массовый выпуск будет начат на рубеже третьего и четвёртого кварталов этого года. Серьёзный спрос на чипы Groq 3 будет наблюдаться, начиная со следующего года. Глава Nvidia на GTC 2026 также оставил свой автограф и на кремниевой пластине с чипами Groq 3, назвав их «сверхбыстрыми».
Первый ИИ-чип OpenAI получит память HBM4 от Samsung — TSMC начнёт выпускать его в третьем квартале
Стартап OpenAI в качестве субъекта переговоров не ограничивается «кольцевыми» сделками, в которых сам ни за что не отвечает, но интересуется и вполне материальными проектами. С третьего квартала TSMC может наладить выпуск для OpenAI чипа, разработанного в сотрудничестве с Broadcom. Снабжать ускорители на его основе памятью HBM4 вызвалась Samsung Electronics.
Источник изображения: Samsung Electronics
По крайней мере, на этом настаивает южнокорейское издание Korean Economic Daily. Соглашение между Samsung и OpenAI якобы уже подписано, оно подразумевает обязательства по поставке микросхем HBM4 в 12-ярусном исполнении со второй половины текущего года. Объём первой партии источники оценивают в 800 млн гигабит, хотя подобная единица измерения и не совсем удобна для восприятия.
Непосредственно разработанный OpenAI при помощи Broadcomm чип для ускорения искусственного интеллекта будет представлен к концу текущего года, хотя фактически его выпуск должен начаться компанией TSMC в третьем квартале. Соглашение в сфере сотрудничества с Broadcom компания OpenAI с целью разработки ИИ-чипа заключила ещё в прошлом году.
Традиционно охватывающий широкий спектр печатных источников ресурс TrendForce попутно сообщил, что Samsung также заключила долгосрочные контракты на поставку компонентов не только с AMD, но и с Google, а также Microsoft. Условия сделок не уточняются, но источники предполагают, что Samsung наверняка гарантировала поставку определённого количества микросхем памяти в течение года с привязкой цены к уровням рынка моментальных сделок. Формально, базовая минимальная цена фиксируется на весь период контракта, но если цены на спот-рынке превышают её, поставщик оставляет за собой право требовать доплаты. Контракты заключены на срок от трёх до пяти лет, как утверждают источники. Они предусматривают крупные авансовые платежи с возможностью их частичного возврата в случае отсутствия у клиента потребности в фактической закупке выпущенного для него количества памяти. Microsoft, например, договорилась заплатить Samsung авансом сразу более $10 млрд.
Как поясняют эксперты, контракты на поставку памяти сроком от трёх до пяти лет становятся распространённой практикой не только в силу дефицита памяти на рынке, но и из-за необходимости адаптировать чипы HBM4 под нужды конкретных клиентов. Располагая солидным авансом, производитель памяти может не только свободнее наращивать мощности, но и быть уверенным, что выпущенная под конкретного заказчика память с высокой вероятностью будет им выкуплена.
AMD и Samsung расширили партнёрство по памяти HBM4 для ИИ-ускорителей
Слухи о намерениях генерального директора AMD Лизы Су (Lisa Su) посетить Южную Корею для важных переговоров с Samsung Electronics подтвердились, поскольку в официальном пресс-релизе первой из компаний было отмечено, что новый меморандум о взаимопонимании представители сторон подписали на этой неделе в Пхёнтхэке, где у Samsung расположен крупный комплекс по выпуску микросхем памяти.
Источник изображения: AMD
Это соглашение направлено на углубление сотрудничества компаний в сфере разработки и производства перспективных типов памяти для инфраструктуры ИИ. Если перейти к частным случаям, то Samsung будет снабжать AMD микросхемами HBM4 для ускорителей вычислений Instinct MI455X, а также оперативной памятью DDR5 для процессоров EPYC и платформы AMD Helios. Представители Samsung также подчеркнули, что их компания обладает компетенциями в области упаковки чипов, а также их контрактного производства.
Лиза Су отметила: «Обеспечение создания нового поколения ИИ-инфраструктуры требует глубокого сотрудничества во всей отрасли. Мы взволнованы возможностью расширить нашу работу с Samsung, объединяя их лидерство в передовой памяти с нашими GPU семейства Instinct, центральными процессорами EPYC и платформами стоечного масштаба. Интеграция по всей вычислительной инфраструктуре, от кремния до системы и стойки, является жизненно необходимым условием ускорения инноваций в ИИ, которое обеспечивает влияние на реальный мир в полном масштабе».
На очередном этапе сотрудничества AMD и Samsung сосредоточатся на использовании памяти HBM4 в составе ускорителей Instinct MI455X, а также передовой памяти DRAM для серверных процессоров EPYC шестого поколения под условным обозначением Venice. Эти технологии будут объединены в инфраструктурных решениях на основе продукции AMD. Последняя из компаний надеется за счёт сотрудничества с Samsung более выигрышно оптимизировать ИИ-инфраструктуру для своих клиентов.
Микросхемы HBM4 производства Samsung будут использованы в составе ускорителей вычислений AMD Instinct MI455X. Соответствующие чипы производятся с использованием 10-нм технологии шестого поколения (для кристаллов DRAM) и 4-нм технологии (для базового кристалла с логикой). Они обеспечивают скорость передачи данных до 13 Гбит/с на контакт и полосу пропускания 3,3 Тбайт/с, что значительно превосходит требования стандартов JEDEC. В мировых масштабах Samsung контролирует только 22 % рынка HBM, на долю SK hynix приходятся 57 % сегмента, по данным Counterpoint Research.
В дальнейшем Samsung и AMD будут готовы обсудить использование контрактных услуг первой по выпуску чипов для второй, но каких именно изделий это коснётся, пока не уточняется. Samsung будет снабжать AMD и её партнёров и памятью DDR5, оптимизированной под особенности фирменной архитектуры Helios. Samsung уже является для AMD основным поставщиком памяти типа HBM3E, которая используется в составе ускорителей вычислений Instinct MI350X и MI355X.
Micron запустила массовое производство памяти HBM4 для Nvidia Vera Rubin
Поскольку на этой неделе Nvidia официально представила свою ИИ-платформу Vera Rubin, компания Micron Technology не нашла причин для дальнейшего сокрытия факта сотрудничества с ней в области поставок памяти типа HBM4. Было объявлено, что этот третий по счёту поставщик приступил к серийному производству микросхем HBM4 в 12-ярусном исполнении.
Источник изображения: Micron Technology
В одном стеке HBM4 при такой компоновке содержится 36 Гбайт памяти, которая способна передавать информацию со скоростью более 1 Гбит/с на контакт, обеспечивая совокупную пропускную способность на уровне 2,8 Тбайт/с. По сравнению с HBM3E той же марки, это соответствует росту пропускной способности в 2,3 раза и улучшению энергетической эффективности более чем на 20 %, как отмечает Tom’s Hardware. Micron Technology также отправила своим клиентам образцы 16-ярусных чипов HBM4 объёмом 48 Гбайт. По сравнению с 12-ярусным стеком, они обеспечивают увеличение удельной ёмкости на 33 %.
Одновременно Micron объявила о начале массового производства твердотельных накопителей семейства 9650, обеспечивающих поддержку новейшего интерфейса PCI Express 6.0. Данные накопители обеспечивают скорость последовательного чтения до 28 Гбайт/с и 5,5 млн операций ввода-вывода в секунду на операциях произвольного чтения. По сравнению с накопителями, оснащаемыми интерфейсом PCI Express 5.0, это обеспечивает вдвое более высокое быстродействие на операциях чтения, энергоэффективность также увеличивается в два раза. Данные накопители оптимизированы для использования в составе стоек BlueField-4 STX, относящихся к платформе Vera Rubin.
Кроме того, Micron представила модули памяти типа SOCAMM2 объёмом 192 Гбайт, также оптимизированные для решений Nvidia семейства Vera Rubin, включая стойки NVL72 и обособленные платформы на основе центральных процессоров Vera. Эти модули памяти будут предлагаться в диапазоне ёмкостей от 48 до 256 Гбайт. Платформа Vera Rubin поддерживает до 2 Тбайт оперативной памяти, а пропускная способность на один процессор достигает 1,2 Тбайт/с при использовании данной памяти. Все три новинки Micron уже производятся серийно и могут поставляться для нужд Nvidia и её партнёров, выпускающих решения семейства Vera Rubin.
Samsung рассчитывает увеличить долю рынка HBM до 28 % благодаря HBM4
Компания Samsung Electronics поспешила заявить о начале поставок микросхем памяти типа HBM4 некоему крупному клиенту, в котором угадывается Nvidia с её ИИ-ускорителями семейства Vera Rubin. По некоторым оценкам, в сегменте HBM4 именно Samsung останется крупнейшим поставщиком Nvidia, и это позволит ей увеличить свою долю на мировом рынке HBM с 20 до 28 %.
Источник изображения: Samsung Electronics
По крайней мере, на это рассчитывают представители TrendForce, которые попутно отмечают, что уже в этом месяце к поставкам HBM4 должны приступить оба ведущих производителя в лице Samsung и SK hynix. Первая из компаний, по прогнозам Hankyung, сохранит доминирование в поставках HBM4 для нужд Nvidia, но SK hynix всё равно будет лидировать на мировом рынке с учётом HBM3E, занимая на нём более половины. В прошлом году SK hynix могла похвастать долей в 59 %, но теперь Samsung должна укрепить свои позиции с 20 до 28 % за счёт активных действий на направлении HBM4.
По имеющимся данным, памяти HBM4 производства Samsung удалось пройти квалификационные тесты Nvidia, которая требует от неё соответствия скоростям передачи информации свыше 10 Гбит/с, значительно превышающих стандартные для JEDEC 8 Гбит/с. Продукция Samsung способна стабильно передавать информацию на скоростях 10 Гбит/с и 11 Гбит/с, а вот SK hynix свою память под скорость 11 Гбит/с до сих пор оптимизирует. В ускорителях Nvidia Vera Rubin будут использоваться 16-ярусные стеки памяти типа HBM4.
Micron, которая являлась вторым по величине поставщиком HBM3E для нужд Nvidia, не будет отсечена от поставок HBM4, поскольку сохранит способность снабжать Nvidia соответствующей памятью для решений, оснащаемых менее быстрыми микросхемами этого типа. Конъюнктура рынка DRAM сейчас такова, что Samsung даже выгоднее выпускать модули оперативной памяти SOCAMM2 для серверных систем, а не более сложную в производстве HBM4. Кроме того, Nvidia не желает в сфере HBM4 зависеть от единственного поставщика, а потому у Samsung неизбежно появятся конкуренты в лице SK hynix и Micron.
Samsung прекратит выпускать 2D NAND и перепрофилирует фабрики на HBM4
В этом году Samsung официально прекращает производство флэш-памяти 2D NAND. Освободившиеся производственные линии будет перепрофилированы для удовлетворения ажиотажного спроса на память HBM4, обусловленного бурным развитием искусственного интеллекта.
Источник изображения: TechPowerUp
По данным The Elec Korea, Samsung планирует официально прекратить производство 2D NAND на своём заводе в Хвасоне. Вместо того чтобы полностью закрывать предприятие, Samsung перепрофилирует мощности для металлизации DRAM, то есть процесса нанесения реальных дорожек для соединения ячеек памяти внутри самой DRAM.
Производственная мощность линии 12 в Хвасоне составляет от 80 000 до 100 000 12-дюймовых пластин в месяц. Это значительное количество пластин, которые сейчас используются только для 2D NAND Flash, технологии, которая устарела после появления 3D NAND Flash.
Теперь на этой линии будет производиться DRAM 6-го поколения класса 10 нм, используемая в HBM4, и Samsung ожидает, что общая мощность производства DRAM вместе с линиями 3 и 4 в Пхёнтеке достигнет около 200 000 пластин в месяц во второй половине года.
Память 2D NAND Flash была впервые представлена в конце 1990-х годов. Производители памяти и накопителей постепенно отказывались от этой технологии в последние несколько лет, и Samsung не является исключением. В марте производство 2D NAND будет окончательно прекращено, уступив место технологии 3D NAND Flash, которая обладает множеством преимуществ перед старой планарной NAND, включая большую ёмкость, лучшую надёжность и гораздо более высокие показатели производительности в целом.
Samsung готова взять реванш в гонке ИИ-памяти и будет продавать свою HBM4 на 20–30 % дороже HBM3E
Для SK hynix выпуск памяти типа HBM3E в эпоху ИИ-бума буквально стал «золотой жилой», поэтому Samsung Electronics горит желанием наверстать отставание от более мелкого соперника и оправдать собственный статус крупнейшего производителя памяти применительно к HBM4.
Источник изображения: Samsung Electronics
С этой целью Samsung недавно подготовила общественное мнение к своему потенциальному реваншу, рассказав о начале поставок памяти типа HBM4 первым клиентам. Как отмечает Business Korea со ссылкой на отраслевые источники, свою память типа HBM4 компания Samsung Electronics намеревается предлагать по цене на 20–30 % выше, чем HBM3E. Выручку на данном направлении Samsung в текущем году намеревается увеличить более чем в три раза по сравнению с прошлым.
Если учесть, что цены на DRAM в целом в этом квартале вырастут минимум на 80–90 % по сравнению с предыдущим, то Samsung с учётом своих масштабов производства может неплохо увеличить не только выручку, но и прибыль. С другой стороны, рост цен на память вынудит её поднять цены на собственные смартфоны, даже с учётом того, что процессоры семейства Exynos 2600 она для них сможет выпускать самостоятельно. Как ожидается, смартфоны флагманского семейства Galaxy 26, которые будут представлены на следующей неделе, вырастут в цене на $68–137 исключительно из-за подорожания памяти. Вариант Galaxy S26 Ultra с 512 Гбайт памяти запросто может получить ценник в районе $1380.
По прогнозам аналитиков KB Securities, если полупроводниковое подразделение DS компании Samsung Electronics в этом году увеличит операционную прибыль почти в шесть раз по сравнению с ожидаемыми $17,2 млрд, то бизнес по выпуску смартфонов сократит свою прибыль с $8,9 до $5,1 трлн.
Nvidia готова пожертвовать скоростью HBM4, чтобы получить достаточно памяти для Vera Rubin
Производители HBM4 не так просто отмечают, что их память способна работать на частотах, превышающих требования стандарта JEDEC. Принято считать, что ради достижения максимального быстродействия своих ускорителей Vera Rubin компания Nvidia выдвинула поставщикам HBM4 повышенные требования к скорости работы памяти. Теперь она готова пойти на попятную ради стабильности поставок памяти.
Источник изображения: Samsung Electronics
Об этом сообщает южнокорейское зеркало ZDNet, поясняя, что изначально Nvidia рассчитывала оснащать свои ускорители вычислений Vera Rubin памятью HBM4, обеспечивающей скорость передачи информации не ниже 11,7 Гбит/с. Снабжать её памятью типа HBM4 вызвались SK hynix, Samsung Electronics и Micron Technology. Хотя все три поставщика способны выпускать память с заданными характеристиками, делать они это пока могут не в тех объёмах, которые требуются Nvidia.
ZDNet сообщает, что Nvidia готова согласится и на закупку чипов HBM4, обеспечивающих только скорость передачи данных на уровне 10,6 Гбайт/с, хотя не откажется и от более быстрых микросхем со скоростью 11,7 Гбайт/с. В этом году дефицит памяти проявит себя сильнее, а потому Nvidia не хочет усложнять жизнь себе, своим поставщикам и клиентам, устанавливая чрезмерно строгие технические условия на поставку HBM4. Южнокорейская SK hynix может обеспечить до 60 % поставок HBM4 для нужд Nvidia, но даже она не готова предложить партнёру исключительно быстрые микросхемы данного типа. Samsung хотя и заявила о начале серийных поставок HBM4, нарастить свои профильные мощности в сжатые сроки не сможет, а Nvidia при этом не сможет полностью полагаться в данном вопросе и на Micron. Получается, что компании придётся подстраиваться под возможности производителей HBM4, жертвуя быстродействием части ассортимента ускорителей Vera Rubin.
Samsung первой запустила HBM4 в серию — для ускорителей Nvidia Vera Rubin
Не секрет, что в сегменте HBM3E дела у Samsung Electronics с точки зрения сотрудничества с Nvidia шли не очень хорошо. Первая из компаний долго добивалась сертификации своей продукции этого семейства по требованиям Nvidia, но так и не смогла наладить массовые поставки и потеснить SK hynix. Сейчас Samsung заявляет, что смогла опередить конкурентов, начав коммерческие поставки HBM4 своим клиентам.
Источник изображений: Samsung Electronics
Как поясняет Bloomberg, имена клиентов при этом не называются, но легко догадаться, что среди них главным является Nvidia. На фоне таких заявлений курс акций Samsung Electronics взлетел сегодня на 7,6 % и обновил исторический максимум. Корейскому гиганту придётся бороться за место в цепочках поставок Nvidia в сегменте HBM4 со всё той же SK hynix, а также американской Micron, которая недавно опровергла слухи о проблемах с сертификации своей продукции для нужд Nvidia.
Все трое поставщиков должны наладить снабжение Nvidia чипами HBM4, поскольку они потребуются при производстве ускорителей поколения Vera Rubin и серверных систем на их основе. Массовые поставки таких систем должны начаться в текущем году, поэтому соответствующая память нужна подрядчикам Nvidia уже сейчас.
Представители SK hynix заявили в октябре прошлого года, что компания начнёт снабжать клиентов микросхемами HBM4 ещё в четвёртом квартале, но о масштабных поставках можно будет говорить только с наступлением 2026 года. По словам представителей Samsung, наладить выпуск HBM4 в коммерческих масштабах удалось благодаря преимуществу над конкурентами в литографических технологиях. Компания использует более передовые техпроцессы (10-нм класса 1c) при выпуске не только самих кристаллов DRAM в стеке HBM4, но и базового кристалла, который производится по 4-нм технологии. В отличие от SK hynix, которая в этой сфере полагается на услуги TSMC, компания Samsung базовые кристаллы может выпускать самостоятельно.
Технический директор Чжэ Хёк Сон (Jaehyuk Song) заявил на этой неделе: «Мы теперь демонстрируем подлинные возможности Samsung в очередной раз. Хотя мы могли не в полной мере демонстрировать Samsung с той стороны, которая отвечает за потребности клиентов в части технологий мирового уровня — на протяжении определённого периода, вы сможете увидеть, как мы вернёмся на прежние позиции».
Из пресс-релиза Samsung следует, что её память типа HBM4 способна достигать скоростей передачи информации до 13 Гбит/с, а в устоявшемся режиме скорость достигает 11,7 Гбайт/с. Уровень выхода годной продукции при выпуске HBM4 достиг стабильных значений, по словам Samsung. Формально, HBM4 способна передавать данные в 1,22 раза быстрее, чем HBM3E, в пересчёте на один контакт. С учётом изменений в компоновке и архитектуре преимущество вырастает до 2,7 раза в пересчёте на один стек памяти. Предельная скорость передачи информации HBM4 достигает 3,3 Тбайт/с.
12-ярусная компоновка позволяет создавать стеки памяти объёмом от 24 до 36 Гбайт. В дальнейшем Samsung рассчитывает предложить и 16-ярусные стеки объёмом до 48 Гбайт. Базовый кристалл HBM4 компания проектировала таким образом, чтобы обеспечить его высокую энергоэффективность. Последний показатель удалось улучшить на 40 % за счёт использования новых способов формирования межслойных соединений и оптимизации компоновки с целью снижения энергопотребления. По сравнению с HBM3E, эффективность теплоотвода удалось улучшить на 30 %, а тепловое сопротивление изменить на 10 %. В целом, Samsung рассчитывает в текущем году в три раза увеличить продажи всех актуальных типов HBM. Во втором полугодии она уже готова начать поставки образцов HBM4E своим клиентам, а в следующем году предложит индивидуализированные варианты такой памяти.
Micron опровергла слухи, что её HBM4 оказалась не нужна Nvidia — массовое производство начнётся в текущем квартале
Ведущие производители памяти сейчас соперничают за лучшие условия сотрудничества с Nvidia в сфере поставок HBM4, и финансовый директор Micron Technology Марк Мёрфи (Mark Murphy) недавно дал понять, что данная компания не собирается оставаться за бортом прогресса. Массовые поставки микросхем HBM4 она начинает в этом квартале, быстрее первоначального намеченного срока.
Источник изображения: Micron Technology
Ещё в декабре прошлого года Micron рассчитывала приступить к поставкам HBM4 лишь во втором квартале текущего года, но теперь полна решимости наращивать объёмы уже в текущем квартале. Образцы HBM4 компания Micron поставляет своим клиентам с сентября прошлого года. Она изначально отмечала, что предлагает самую быструю память HBM4 на рынке со скоростью передачи информации более 11 Гбит/с, но с тех пор лидерство в данной сфере пытается оспаривать Samsung.
По данным южнокорейских СМИ, все три крупнейших поставщика HBM4 смогут снабжать памятью этого типа компанию Nvidia, которой она нужна для оснащения ускорителей вычислений семейства Rubin. На долю SK hynix придётся около 55 % таких поставок, Samsung получит около 25 %, а Micron придётся довольствоваться 20 %. В любом случае, по словам финансового директора Micron Technology, слухи о неспособности компании принять участие в снабжении Nvidia памятью HBM4 в текущем году не имеют ничего общего с реальностью. Как ожидается, очередной рассказ об ускорителях Rubin можно будет услышать от представителей Nvidia на мартовской конференции GTC 2026.
Micron при этом продолжает расширять свои мощности, пригодные под организацию упаковки чипов памяти. Помимо сотрудничества с тайваньской PSMC, американский производитель памяти с 2024 года скупает простаивающие тайваньские предприятия по выпуску ЖК-панелей. В прошлом году Micron купила два таких завода на Тайване у AUO, а в этом готовится купить ещё одно у Innolux. После переоборудования такие предприятия можно приспособить к тестированию и упаковке микросхем памяти. Совместный проект с PSMC начнёт приносить свои плоды с конца 2027 года.
Samsung начнёт коммерческие поставки памяти HBM4 уже в феврале, опередив конкурентов
Samsung Electronics станет первым производителем памяти, который начнёт коммерческие поставки чипов HBM4. Компания планирует отгрузить первые партии уже в середине февраля. Основным заказчиком выступит Nvidia, которая будет использовать HBM4 в своей вычислительной платформе следующего поколения Vera Rubin для ИИ-суперкомпьютеров. Ожидается, что Nvidia представит ускорители на базе этой памяти на конференции GTC 2026 в марте.
Источник изображения: Samsung Electronics
По сообщению южнокорейского издания The Korea Herald со ссылкой на отраслевые источники, новая память HBM4 от Samsung с самого начала проектировалась с превышением базовых отраслевых стандартов, установленных организацией JEDEC. Чип работает на скорости до 11,7 Гбит в секунду, что на 37 % превышает стандарт JEDEC в 8 Гбит в секунду и на 22 % выше показателя предыдущего поколения HBM3E. Пропускная способность одного стека достигает 3 Тбайт в секунду, а ёмкость составляет 36 Гбайт при двенадцатислойной компоновке. В перспективе шестнадцатислойная компоновка позволит увеличить объём до 48 Гбайт. Для производства памяти применены DRAM-техпроцесс шестого поколения 10-нм класса (1c) и собственный четырёхнанометровый логический кристалл.
Источник изображения: Nvidia
Для удовлетворения прогнозируемого спроса Samsung расширяет производственные линии на заводе Pyeongtaek Campus Line 4. После модернизации общий объём выпуска пластин с памятью 1c DRAM, предназначенных для HBM4, составит около 200 тысяч единиц в месяц. Это количество покрывает примерно четверть всех мощностей компании по производству DRAM. По оценкам аналитиков SemiAnalysis, рынок HBM4 будет поделен между двумя игроками: SK hynix займет около 70 % рынка, а Samsung получит оставшиеся 30 %, тогда как компания Micron фактически выбыла из конкурентной гонки.
В предыдущих поколениях HBM Samsung сталкивалась с кризисом своей конкурентоспособности, уступая лидерство SK hynix. С помощью HBM4 разрыв может быть не только сокращён, но возможно и опережение конкурента, который получил раннее преимущество на фоне растущего спроса со стороны центров обработки данных для задач искусственного интеллекта.
Король HBM: SK hynix отчиталась о рекордной прибыли и обогнала Samsung, но последняя готовит контратаку
Южнокорейская SK hynix долгое время оставалась основным поставщиком памяти типа HBM3E для весьма востребованных рынком ускорителей Nvidia. Это позволило ей обойти по прибыли более крупную Samsung Electronics и в целом неплохо зарабатывать. Четвёртый квартал прошлого года стал рекордным для SK hynix с точки зрения финансовых результатов, операционная прибыль компании более чем удвоилась.
Источник изображения: SK hynix
Она достигла $13,5 млрд в пересчёте по курсу и заметно превысила ожидания аналитиков, увеличившись на 137 %. Выручка SK hynix в годовом сравнении выросла сразу на 66 % до $23 млрд, но в данном случае ожидания аналитиков были превышены только незначительно. И выручка, и операционная прибыль этого производителя памяти в четвёртом квартале оказались рекордными. Реализация HBM принесла SK hynix в прошлом квартале более чем в два раза больше выручки, чем годом ранее. По независимым оценкам, SK hynix сейчас занимает 61 % мирового рынка HBM. Если Samsung добьётся успеха в сегменте HBM4, то в этом году доля SK hynix сократится до 53 %. Сегмент HBM должен до 2030 года расти на 25 % в среднем, по прогнозам экспертов.
Источник изображения: Bloomberg
Что характерно, руководство SK hynix осознаёт, какое негативное влияние на рынок оказывает ИИ-бум. Из-за роста цен на память для смартфонов и ПК, по мнению представителей компании, а также её дефицита, темпы роста заказов в указанных сегментах будут отставать от остального рынка. Акции SK hynix выросли в цене на 6 % после публикации квартальной отчётности. Дефицит памяти на этапе наращивания объёмов выпуска HBM4 будет усиливаться, по мнению аналитиков. Представители Citigroup ожидают, что средние цены на DRAM в этом году вырастут на 120 %, а цены на NAND увеличатся на 90 %.
По итогам года в целом SK hynix выручили рекордные $68 млрд, операционная прибыль достигла $33 млрд, а чистая — $30 млрд, при этом норма прибыли выросла до 44 %. В сегменте DRAM выручка от реализации HBM более чем удвоилась. Классическую DRAM компания начала выпускать по шестому поколению техпроцесса 10-нм класса (1c). В серверном сегменте SK hynix начала предлагать модули DDR5 в исполнении RDIMM объёмом 256 Гбайт. В текущем году компания надеется ускорить переход на техпроцесс 1c при производстве DRAM, а также предлагать на рынке ИИ актуальные решения типа модулей SOCAMM2 и микросхем GDDR7. В сегменте NAND компания завершила разработку 321-слойной памяти типа QLC, а также добилась рекордной выручки от реализации флеш-памяти.
Samsung начнёт выпускать память типа HBM4 для Nvidia в следующем месяце
В первой половине этого месяца появлялась информация о том, что начало массового выпуска памяти типа HBM4 откладывается до конца первого квартала по причинам, связанным с компанией Nvidia. Эту неделю агентство Reuters начало с сообщения о готовности Samsung начать производство HBM4 в следующем месяце.
Источник изображения: Nvidia
Получать эти чипы предсказуемо будет Nvidia, поскольку они требуются для производства ускорителей вычислений семейства Rubin. В случае с предыдущими поколениями ускорителей Nvidia приоритетным поставщиком HBM оставалась SK hynix, но Samsung уже давно идёт к цели по превращению в серьёзного поставщика HBM4, желая наверстать упущенное и как минимум догнать конкурента. Каким будет объём первых партий HBM4 в исполнении Samsung, не уточняется.
Южнокорейское издание Korea Economic Daily сегодня сообщило, что память HBM4 в исполнении Samsung прошла квалификационные тесты Nvidia и AMD, а потому формально этот производитель имеет возможность начать её поставки первому из клиентов в следующем месяце. Первые образцы HBM4 были отправлены Samsung для тестирования в лабораториях Nvidia ещё в сентябре прошлого года. SK hynix в октябре сообщила, что завершила переговоры о поставках HBM на 2026 год с основными клиентами. Ради удовлетворения спроса на память данного семейства SK hynix со следующего месяца начнёт поставки кремниевых пластин для производства памяти на новое предприятие M15X в Южной Корее. Samsung и SK hynix отчитаются о результатах прошлого квартала в этот четверг, наверняка на мероприятиях по этому поводу что-то будет сказано в отношении сроков поставок HBM4. Глава Nvidia в начале этого месяца подтвердил, что производство чипов для ускорителей Vera Rubin уже началось. Соответственно, медлить с выпуском HBM4 для этой платформы особой нужды нет.
Массовое производство HBM4 отложили до конца первого квартала по прихоти Nvidia
Компания Nvidia вынудила производителей микросхем оперативной памяти отложить запуск серийного производства памяти HBM4 до конца первого квартала 2026 года, сообщается в недавнем исследовании TrendForce.
Источник изображения: SK hynix
Это решение связано с целым рядом причин. Во-первых, в III квартале 2025 года компания пересмотрела спецификации HBM4 для своей платформы Rubin, повысив требуемую скорость на контакт до более чем 11 Гбит/с. В связи с этим её трём основным поставщикам — SK hynix, Samsung и Micron — пришлось внести изменения в свои разработки.
Кроме того, из-за высокого спроса на чипы Nvidia предыдущего поколения Blackwell, обусловленного продолжающимся бумом ИИ, компания скорректировала сроки начала серийного производства платформы Rubin.
TrendForce отмечает, что SK hynix, Samsung и Micron повторно представили образцы HBM4 в соответствии с более высокими требованиями Nvidia. Samsung вышла на лидирующие позиции в этой тройке благодаря внедрению 1-нм техпроцесса для HBM4 и использованию собственных передовых технологий для базового кристалла. Это позволит компании добиться более высоких скоростей передачи данных, и сделает её наиболее вероятным поставщиком, который первым пройдёт квалификацию и потенциально получит преимущество в поставках высококачественных продуктов Rubin.
В свою очередь, SK hynix уже заключила контракты на поставку HBM и, следовательно, скорее всего, сохранит доминирующую долю на рынке поставок HBM в 2026 году.
На темпы квалификации HBM4 также влияют изменения в продуктовой стратегии Nvidia. Поскольку спрос на продукты Blackwell на фоне продолжающегося бума ИИ резко возрастёт в первой половине 2026 года, Nvidia повысила целевые показатели поставок для B300/GB300 и увеличила заказы на HBM3e, также пересмотрев график производства Rubin.
Вместе с тем благодаря корректировкам в графике Nvidia поставщики HBM получили дополнительное время для доработки решений HBM4. Исходя из имеющихся результатов квалификации компания TrendForce прогнозирует, что массовое производство HBM4 у поставщиков, скорее всего, начнётся в конце I квартала или начале II квартала 2026 года.
Новая статья: Итоги-2025: почему память стала роскошью и что будет дальше
Данные берутся из публикации Итоги-2025: почему память стала роскошью и что будет дальше